中芯国际迎“重大突破”:新高端芯片将步入试产

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除了中国企业试图赶上国际先进芯片制造工艺,美国巨头英特尔也在加紧行动。

据《科技创新板日报》12月4日的最新消息,中国芯片生产巨头中芯国际在互动平台上公开表示,公司即将于2020年底小批量生产第二代FinFET N+1芯片。该芯片目前已进入客户进口阶段。去年年底,中芯国际率先完成任务,并完成了第一代FinFET 14nm芯片的量产。

中芯国际迎“重大突破”:新高端芯片将步入试产-第1张图片-IT新视野

资料显示,与第一代14nm芯片相比,第二代FinFET N+1芯片工艺将升级到12nm,晶体管尺寸将进一步缩小,功耗将降低20%,性能将提高10%,误码率将降低20%。据悉,此前业界曾“误传”中芯国际的N+1和N+2工艺项目可与台积电的7nm芯片工艺相媲美。

今年3月,中芯国际还澄清,公司的N+1和N+2工艺项目与台积电的7nm芯片仍有差距。只能说耗电量和稳定性处于同一水平。然而,虽然与世界上最先进的芯片铸造技术相比还有很长的路要走,但中芯国际目前的成就来之不易。据报道,目前世界上只有6家公司能生产14nm芯片,中芯国际就是其中之一。

中芯国际迎“重大突破”:新高端芯片将步入试产-第2张图片-IT新视野

除了中国企业试图追赶国际高端芯片的先进工艺外,美国芯片巨头英特尔也在加紧行动。到目前为止,作为美国最大的芯片制造商,英特尔的芯片工艺只发展到了10nm,而7nm工艺的进展却一再拖延。近日,不少业内人士猜测,由于当地产能紧张,英特尔很可能将美国芯片订单转移给台积电等公司,以帮助铸造。

此外,中国芯片行业也不断传出重利消息。就在今天(12月4日),中芯国际发布公告称,其子公司中芯国际控股将与国家集成电路基金二期和易庄国共同成立合资公司。天涯查发布的报告显示,我国2万多家芯片相关企业拥有自己独特的专利,占关联企业总数的8.45%。这意味着我国未来在芯片专利领域将拥有更多话语权。

就连我国的北京也传来了一个“好消息”,据报道,北京不少代表已经“开放”,将努力突破集成电路、关键新材料等“瓶颈”技术,加快建设世界一流的重大科技基础设施集群。不难想象,当我们聚集全国力量攻克生产难题时,芯片行业迎来“曲线超车”的日子将不远。

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